Das PNY MN16GSD42666-SB Speichermodul bietet mit 16 GB Kapazität ein zuverlässiges Upgrade für Notebooks. Durch eine Taktrate von 2666 MHz und eine Latenz von CL19 sorgt der Arbeitsspeicher für eine spürbare Leistungssteigerung bei anspruchsvollen Anwendungen wie Grafikdesign oder Videobearbeitung. Der kompakte SO-DIMM-Riegel mit 260 Pins arbeitet bei einer Spannung von 1.2 V energieeffizient und zeichnet sich durch ein optimiertes thermisches Verhalten aus. Damit ermöglicht das Modul stabiles Multitasking und schnellere Reaktionszeiten im alltäglichen Betrieb.
DDR4-RAM
DDR4 bringt einige Verbesserungen bezüglich Tempo und Leistung im Vergleich zu den Vorgängergenerationen. Ein RAM-Riegel der vierten Generation hat mehr Pins, mit denen er mit dem Board verbunden ist, um dem höheren Tempo gerecht zu werden. Jedes DIMM bekommt eine direkte Leitung zum CPU-Controller, um Verzögerungen beziehungsweise Engpässe im Datentransfer von der CPU zum RAM zu vermeiden. DDR4 enthält zudem Neuerungen, die den Strombedarf reduzieren und die Zuverlässigkeit erhöhen.
