Avec une capacité de 16 Go, le module de mémoire PNY MN16GSD42666-SB constitue une mise à niveau fiable pour les ordinateurs portables. Grâce à une fréquence d'horloge de 2 666 MHz et à une latence de CL19, cette mémoire vive garantit un gain de performances notable pour les applications exigeantes telles que la conception graphique ou le montage vidéo. Ce module SO-DIMM compact à 260 broches fonctionne de manière économe en énergie à une tension de 1,2 V et se distingue par un comportement thermique optimisé. Il permet ainsi un multitâche stable et des temps de réponse plus rapides dans le cadre d'une utilisation quotidienne.
DDR4 RAM
DDR4 apporte quelques améliorations en termes de vitesse et de performances par rapport aux générations précédentes. Une barre de RAM de quatrième génération a plus de broches connectées à la carte pour s'adapter à la vitesse plus élevée. Chaque DIMM reçoit une ligne directe vers le contrôleur CPU pour éviter des retards ou des goulots d'étranglement dans le transfert de données du CPU vers la RAM. DDR4 comprend également des innovations qui réduisent la consommation d'énergie et augmentent la fiabilité.
