Samsung

SSD 980 M.2 2280 NVMe 1000 GB

1 TB SSD de Samsung en facteur de forme M.2 2280

  • SSD M.2 2280, 1000 GB, PCI-Express x4 NVMe
  • Hauteur totale: 2.38 mm
  • Cryptage du stockage des données: 256-Bit-AES
  • Mémoire flasch NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC
  • Vitesse de lecture: 3500 MB/s, Vitesse d'écriture: 3000 MB/s
  • Contrôleur mémoire: Samsung Pablo Controller

Capacité de mémoire totale:  1000 GB

N° d'article1184927
N° d'article du fabricantMZ-V8V1T0BW
Stock à Willisau167
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Qu'il s'agisse de la puissance de performance pour vos jeux ou du traitement rapide de gros graphiques: Avec le SSD 980, vous pouvez aider votre ordinateur à atteindre des performances puissantes. Le 980 est un choix intelligent et rentable pour une vitesse élevée des SSD, grâce à une interface PCIe 3.0 et à la technologie NVMe.

Grande vitesse grâce à la connexion directe PCIe

Avec ce SSD, les données sont transférées via PCI-Express, laissant les SSD SATA conventionnels loin derrière en termes de taux de transfert. Les SSD M.2 sont installés sur la carte mère via la prise M.2. Grâce à leurs dimensions compactes, ils sont particulièrement adaptés à l'utilisation dans les Ultrabooks et les Mini-PC, mais peuvent également être utilisés dans des ordinateurs normaux.

Protocole NVMe pour moins de latence

Dans les systèmes supportant le NVMe, ce SSD brille particulièrement bien. Vous bénéficiez d'un débit élevé, d'un IOPS élevé et d'une faible latence. Contrairement à l'ancien protocole AHCI, qui a été développé pour les disques tournants traditionnels, NVMe prévient la dégradation des performances, offre un transfert plus rapide de grandes quantités de données, des vitesses de démarrage accrues et un temps de réponse système amélioré.

Mémoire
Capacité de mémoire totale1000 GB
Interface stockage de donnéesPCI-Express x4
Champ d’application SSDConsumer
Sécurité
Cryptage du stockage des données256-Bit-AES
Dimensions
Taille du SSD2.38 mm
Facteur de forme du SSDM.2 2280
Stockage de données
Vitesse de lecture3500 MB/s
Vitesse d'écriture3000 MB/s
Mémoire flasch NANDSamsung V-NAND 3-bit MLC
Lecture séquentielle IOPS 4 KB500000 IOPS
Écriture séquentielle IOPS 4 KB480000 IOPS
Contrôleur mémoireSamsung Pablo Controller
Interfaces standardNVMe
Fabricant
Nom du fabricantSamsung
N° d'article du fabricantMZ-V8V1T0BW
Garantie du fabricant60 mois
Informations sur la garantieSamsung
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