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SSD 9100 PRO Heatsink M.2 2280 NVMe 2000 GB

Solid State Drive M.2 pour les applications et les charges de travail exigeantes

CHF348.00
frais de port gratuits
Remarque: Maximum 37 pièces
  • SSD M.2 2280, 2000 GB, PCI-Express 5.0 x4
  • Hauteur totale: 8.6 mm
  • Cryptage du stockage des données: 256-Bit-AES
  • Mémoire flash NAND: 128L V-NAND TLC
  • Vitesse de lecture: 14700 MB/s, Vitesse d'écriture: 13400 MB/s

Capacité de mémoire totale: 2000 GB

N° d’article1856072
N° d’article du fabricantMZ-VAP2T0CW
Stock à Willisau
37
Évaluation

Description

Samsung MZ-VAP2T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 14700 Mo/s, Vitesse d'écriture: 13400 Mo/s, composant pour: PC/Console de jeux

Samsung MZ-VAP2T0, 2 To, M.2, 14700 Mo/s

Protocole NVMe pour moins de latence

Ce SSD brille particulièrement dans les systèmes avec support NVMe. Vous bénéficiez d'un débit élevé, d'un IOPS élevé et d'une faible latence. Contrairement à l'ancien protocole AHCI, conçu pour les disques durs traditionnels en rotation, NVMe évite les baisses de performance, offre un transfert plus rapide de gros volumes de données, des vitesses de démarrage accrues et un temps de réponse du système amélioré.

Grande vitesse grâce à la connexion directe PCIe

Avec ce SSD, les données sont transférées via PCI-Express, laissant les SSD SATA conventionnels loin derrière en termes de taux de transfert. Les SSD M.2 sont installés sur la carte mère via la prise M.2. Grâce à leurs dimensions compactes, ils sont particulièrement adaptés à l'utilisation dans les Ultrabooks et les Mini-PC, mais peuvent également être utilisés dans des ordinateurs normaux.

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Spécifications

Mémoire

Capacité de mémoire totale2000 GB
Interface stockage de donnéesPCI-Express 5.0 x4
Champ d’application SSDConsommateurs
Interface du disque durNVMe

Sécurité

Cryptage du stockage des données256-Bit-AES

Dimensions

Taille du SSD8.6 mm
Facteur de forme du SSDM.2 2280

Stockage de données

Vitesse de lecture14700 MB/s
Vitesse d'écriture13400 MB/s
Mémoire flash NAND128L V-NAND TLC
Lecture séquentielle IOPS 4 KB1850000 IOPS
Écriture séquentielle IOPS 4 KB2600000 IOPS

Fabricant

Nom du fabricantSamsung
N° d’article du fabricantMZ-VAP2T0CW
Garantie du fabricant36 mois
Informations sur la garantieSamsung

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